而它的電子的來(lái)源有二：高溫金屬產(chǎn)生的熱電子，另一種電子的來(lái)源為中空陰極放電。(4)雷射加熱：激光束可經(jīng)由光學(xué)聚焦在蒸鍍源上，產(chǎn)生局部瞬間高溫使其逃離。zui早使用的是脈沖紅寶雷射，而后發(fā)展出紫外線(xiàn)準分子雷射。紫外線(xiàn)的優(yōu)點(diǎn)是每一光子的能量遠比紅外線(xiàn)高，因此準分子雷射的功率密度甚高，用以加熱蒸鍍的功能和電子束類(lèi)似。常被用來(lái)披覆成份復雜的化合物，鍍膜的品質(zhì)甚佳.它和電子束加熱或濺射的過(guò)程有基本上的差異，準分子雷射脫離的是微細的顆粒，后者則是以分子形式脫離。(5)電弧加熱：陰極電弧沉積的優(yōu)點(diǎn)為：①蒸鍍速率快，可達每秒1.0微米；②基板不須加熱；③可鍍高溫金屬及陶瓷化合物；④鍍膜密高且附著(zhù)力佳。

主要工藝：目前，物理氣相沉積（PVD）技術(shù)主要包括真空陰極弧物理蒸發(fā)、真空磁控離子濺射、離子鍍以及增強濺射四種。①陰極弧物理蒸發(fā)（ARC）：真空陰極弧物理蒸發(fā)過(guò)程包括將高電流，低電壓的電弧激發(fā)于靶材之上，并產(chǎn)生持續的金屬離子。被離化的金屬離子以60-100eV平均能量蒸發(fā)出來(lái)形成高度激發(fā)的離子束，表面鍍鈦廠(chǎng)家報價(jià)，在含有惰性氣體或反應氣體的真空環(huán)境下沉積在被鍍工件表面。真空陰極弧物理蒸發(fā)靶材的離化率在90%左右，所以與真空磁控離子濺射相比，沉積薄膜具有更高的硬度和更好的結合力。

PVD涂層（鍍膜）技術(shù)原理是在真空條件下，采用低電壓、大電流的電弧放電技術(shù)，利用氣體放電使靶材蒸發(fā)并使被蒸發(fā)物質(zhì)電離，在電場(chǎng)的作用下，使被蒸發(fā)物質(zhì)或其他反應物沉積在工件上。涂層性質(zhì)（如硬度、結構、耐化學(xué)和耐溫性、結合力）可以被jing確地控制。（2）工藝特點(diǎn)：在PVD工藝中的高純度固體涂層材料（金屬如鈦、鉻和鋁）既可通過(guò)加熱或通過(guò)離子轟擊（濺射）來(lái)得到蒸發(fā)。同時(shí)添加反應性氣體（例如氮氣或含碳氣體）；之后形成含金屬蒸氣的復合物，并以高度粘附性薄涂層沉積在工具或零部件上。以恒定速度旋轉固定在幾個(gè)軸上的零件可獲得均勻的涂層厚度。